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但是这个当我们考虑到这一点时，这并不奇怪专电解电容器的质量有在漏电流方面有很大改进在过去的20年里。a的泄漏电流值约为10μA35V时1000μF电解电容（参见图3）因此非见。这些属性是可以理解，可以松解释使用激能量的模型。的水平操作时的
发布时间：2019-08-01 点击次数：82
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在此之后质中的有弱点现代业的电容器今天提供的电解电容器合，泄漏电流下降到永的低值，现在对应于图2中等效电路图的情况。2或5分钟后的漏电流值，所谓的接受价值，是比较高的与图3中所示的线相比较通常是定在如此高的水平“历史”的各影响，如没有电压的
发布时间：2019-08-01 点击次数：71
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在，对于铝聚合物电容器，电容值范围为至2mF，电压范围为6.3V至100V，适用于种设计。由于其异的电气性能，使用聚合物电解电容器的可能性非多样，从传统的电压备份解决方案，缓冲IC供电电压，信号旁路或去耦，滤波器应用到开关稳压器应用的
发布时间：2019-07-31 点击次数：50
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然而，铝电解电容器在损坏发生之前只能承受大约20的过电压，而薄膜电容器可以承受短时间内达其额定值两的电压。自我修可确对偶然应力的全响应，这在实际应用中通常会遇到。此外，薄容器可以提容和安装选项，并且是非化的，因此不受反向连接错误的影响。它们
发布时间：2019-07-31 点击次数：67
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元件芯的温升由功率消耗，元件封装的射系数和由元件制造商定的从芯到壳体的温差系数或斜率定。可能施加到电容器的大纹波电流通常定为大值环境温度和100/120赫兹。可以根据实际使用中的环境温度和施加的电流来应用增子，其中随着频率的增加而减小。电源
发布时间：2019-07-31 点击次数：67
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当该电容器元件浸渍有液体时电解质，阳箔和阴箔是电的连接的。随着氧化铝层的形成阳箔作为唯的电介质，电容器用作电容器现在可以获得高电容值。也就是说电解质现在起到阴的作用。该列出了电解质所需的基本特性下面：-4电解质照片1-4中间高压成型箔的放大
发布时间：2019-07-30 点击次数：66
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表1-1显示了介电常数和电介质的小厚度用类型的电容器。采用容，自物质具有异的耐电压厚度。并且电介可以自由据的容器。因与他质相比，电压相近耐久性由氧化铝电介质提供如果厚度（上式中的“d”）很薄。此外，通刻铝箔表面，箔的效面积与表观相比面积可以
发布时间：2019-07-30 点击次数：70
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如果您需要注意热量和功率损耗，这可能会成为一个问题。泄漏电流-与我们的电池不同，电容器会泄漏其存储的电荷。虽然这种情况很慢，但你需要注意你的电容器泄漏多少，如果它的主要功能是。电解电容器由阴组成铝箔，电容纸（电解纸），电解质和层，起到的
发布时间：2019-07-30 点击次数：77
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随着器的两个板续充电，负电和正电地试在一起，但中间那厌的不它们产场。这就是为什么盖子继续保持并存储电荷的原因，因为在两块板的负侧和正侧之间存在无法解决的张力源。充电松动。我们的电容器中的两个电容板迟早不能充电，因为它们处于容量状态。但现在发
发布时间：2019-07-30 点击次数：99
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适配器电含内件的电气设备一起使用，以从主电源所需压和功率。外部电源的部电路与用于内置或部电源的设计非相似。从外面开始。在电容器的顶部和底部，您会找到一组金属板，也称为导体。电荷发现这些金属板常有吸引力。坐在中间。在这两块金属板的中间，你会
发布时间：2019-07-30 点击次数：59
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膜电容器具有低损耗和效率，同时具有较长的使用寿命。薄膜电容器的应用功率薄膜电容器用于电力电子设备，移相器，X射线闪光灯和脉冲激光器，而低功率电容器则用作去耦电容器，滤波器和A/D转换器。其他得意的应用包括安电容器，电磁干扰制，荧光灯镇
发布时间：2019-07-30 点击次数：74
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不幸的是，它们优的电气性能和稳定性是有代价的。薄膜电容器比电解电容器大，这意味着可以使用有限的（表面贴装术）封装。如果过载，它们也会炸，但这种特性在不同的电容器类型中有些常见。螺旋式端子代替焊接接头，因为时需要在现换功率薄膜电容器。不幸的是
发布时间：2019-07-30 点击次数：181
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铝电解电容器由两个铝箔和浸泡在电解质中的纸垫片制成。两个铝箔中的一个覆盖有氧化物层，并且该箔用作阳，而未涂覆的箔用作阴。在正常操作期间，阳相对于阴处于正电压，这就是常沿电容器主体标记有负号的原因。将阳，浸有电解质的纸和阴堆叠在一起。将堆叠卷
发布时间：2019-07-29 点击次数：474
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换句话说，将二管的一端保持在中间，将另一端摆动为高或低。别是对于RF电路，您还可以在偏置线中找到RF扼流圈，以阻止RF进入电源和逻辑电路。但实质上是在图表中，二管开关真的很简单。所以现在您知道二管如何用作简单的通断开关。您至可以通过将单个二
发布时间：2019-07-29 点击次数：119
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二管的正向电流可以比典型的pn结二管的正向电流大许多，这取决于所的金属。请记住，律告诉我们，率等于伏数，因此对于给定的二管电流，ID将产生较小的正向电压降，从而以交叉点上的热量形式产生较低的正向功率耗散。这种较低的使肖二管成为低压和高流应
发布时间：2019-07-29 点击次数：81
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这与作为的典管不同。二管见的属是，它是高导电性该-硅触点具有相当阻值，允许多，从而在时产小正向电压降。不合物以产生所谓将产生不同的正向电压降，通常在0.3至0.5伏之间地停止并且。上面示流流动。因此，通过管的电流是多移的结果。由于没有流
发布时间：2019-07-28 点击次数：78
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当反向偏置时，耗尽区域增加断电流。使用外部电置结以使其正向或反作别减或增势垒阻。请记住，p结二管是，因其直流电会随置电和过电而变化。当正偏置时，通过结的会开始，到开关偏置达到“拐点电”，此时电流速增加;对于硅二管，通所需的电压约为0。对于的
发布时间：2019-07-28 点击次数：483
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以前，半导体开关器件（晶体管，或数字）的运行速度已经通过在电感负载上添加续流二管而受损，其中在一些应用中使用肖特基二管和齐纳二管。但是在过去的几年中，续流二管重新获得了重要性，主要是因为它们具有的恢复特和能够在下工作的快材料。此处未包括的其
发布时间：2019-07-28 点击次数：53
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通过在供电轨上串联两个二管并将线接点，如图所示，何不需要的瞬态都会速消耗，并且由于信号二管有阵列，因此它们在个保护据线。信号二管阵列还可用于将串联或并联组合的二管连接在一起，以形成电压调节器或电压降型电路，或至产生已知的固定参考电压。我们知
发布时间：2019-07-28 点击次数：84
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高工作的大工作实际上涉及二管的且与大耗散。它是二管结构恶化前允许的高温度，以摄示。该值与的电有限或需要匹配的流紧相关，因此在此时过点度。但是，正向电流还取决于的环境温度，因此大向流用向功耗评信号二于两或境温度值，例如25oC或70o
发布时间：2019-07-28 点击次数：116
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某些类型的开关稳压器也可以升压。线性稳压器不能这样做远。如何判断是否需要开关稳压器？作为一般经验法则，如果您的线性稳压解决方案浪费的功率小于0.5瓦，那么开关稳压器对您的项目来说就太过分了。如果您的线性稳压器浪费几瓦功率，您定希望用切换器替
发布时间：2019-07-27 点击次数：65
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噪声的频度可能会干涉其他时钟发出的信号，然后导致拍频和其他干扰。为了免这些困难，开关电源的时钟频率可能需要与系统时钟同步。此外，对不同频段的电源产生的噪声量有越来越严格的管限制，这两者都是电源和全位置的函数。一些开关电源通过使用扩频时
发布时间：2019-07-19 点击次数：239
