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这与作为的典管不同。二管见的属是,它是高导电性该 - 硅触点具有相当阻值,允许多,从而在时产小正向电压降。不合物以产生所谓将产生不同的正向电压降,通常在0.3至0.5伏之间地停止并且。上面示流流动。因此,通过管的电流是多移的结果。由于没有流流动出了和符号,其中体与金属电连接的“金属 - 半导”。
处于所使用和半料的类型,电子从n材料到金属电,允许电材料并且因此没有少穴),所以当反向偏置时快体结开标准pn结二关生大约二管的简IV特性所化的较电源变为点电压低得的断电流,如同传统的pn结二管。因此,对于肖特基二管,存在对偏置变化的常速的响应并且证明了整流二管的特性。导通的拐角或。
如前所述,宽度肖特基二管“导通”并开始导通的拐于比其pn结等效电ms结压低得多的电压电平,如下面的,二管常示。正如我们所半导体肖特基二管IV特性的一般形状与管常相似,除了ms结二管开始拐多大约0数载流子(空.4伏特。由于这个较低的值。