如何减少高的电流水

作为低功耗应用中恢复二极管的可能替代方案，肖特基二极管一般不存在恢复时间，V F是恢复二管的一半（通常为0.4 V至1 V），但不适用于额定电压与恢复二极管相同。由于这些，肖特基二管用于低功耗应用，可大大与开关二极管相关的功率损耗，一般是在低占空比应用中。然而，开关电源即使具有低的正向压降，肖特基二管也可能在低压应用中呈现不可接受的传导损耗。

考虑1.5 V的输出，其中使用典型的0.5 V肖特基二管。这是二极管导通期间输出电压的33％！通过在称为同步整流的技术中利用以这种高损耗情况。这里，MOSFET取代二管并与另一个同步，以便在它们各自的开关间隔期间交替导通。现在，二极管的相对较高的V F被MOSFET的低得多的电压降（取决于电流）所取代，从而减少了二极管导通所损失的效率。

然而，同步整流确实有其折衷，例如增加的复杂性和成本，并且对于减少高的电流水平可能不会证明相当大的益处，因为MOSFET的导通损耗随着其电流的平方而增加。此外，由于在接通同步整流器的栅极时消耗功率，工程师需要权衡附加栅极驱动器的损失。通用开关模式电源MOSFET和二管的两个主要部件所固有的功率损耗电路，控制器IC的一些重要方面有其有成效的操作，可参考其数据表。开关元件集成在IC封装中，从而省空间并减少寄生损耗。其次，使用低R DSon MOSFET。对于NMOS和PMOS，它们分别规定为0.27Ω（典型值）和0.19Ω（典型值）。第三，采用同步整流。对于50％占空比和500mA负载，如果使用1V二极管，则可以将较低的开关导通损耗从250mW到由于同步NMOS晶体管的低R DSon而导致的约34mW。虽然开关元件地影响了SMPS效率，但工程师可以在多领域对抗功率损耗的侵入性影响。将审查SMPS IC的无源元件损耗和重要的效率功能。