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如何减少高的电流水

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如何减少高的电流水

发布日期:2019-09-03 作者: 点击:

作为低功耗应用中恢复二极管的可能替代方案,肖特基二极管一般不存在恢复时间,V F是恢复二管的一半(通常为0.4 V至1 V),但不适用于额定电压与恢复二极管相同。由于这些,肖特基二管用于低功耗应用,可大大与开关二极管相关的功率损耗,一般是在低占空比应用中。然而,开关电源即使具有低的正向压降,肖特基二管也可能在低压应用中呈现不可接受的传导损耗。

考虑1.5 V的输出,其中使用典型的0.5 V肖特基二管。这是二极管导通期间输出电压的33%!通过在称为同步整流的技术中利用以这种高损耗情况。这里,MOSFET取代二管并与另一个同步,以便在它们各自的开关间隔期间交替导通。现在,二极管的相对较高的V F被MOSFET的低得多的电压降(取决于电流)所取代,从而减少了二极管导通所损失的效率。

然而,同步整流确实有其折衷,例如增加的复杂性和成本,并且对于减少高的电流水平可能不会证明相当大的益处,因为MOSFET的导通损耗随着其电流的平方而增加。此外,由于在接通同步整流器的栅极时消耗功率,工程师需要权衡附加栅极驱动器的损失。通用开关模式电源MOSFET和二管的两个主要部件所固有的功率损耗电路,控制器IC的一些重要方面有其有成效的操作,可参考其数据表。开关元件集成在IC封装中,从而省空间并减少寄生损耗。其次,使用低R DSon MOSFET。对于NMOS和PMOS,它们分别规定为0.27Ω(典型值)和0.19Ω(典型值)。第三,采用同步整流。对于50%占空比和500mA负载,如果使用1V二极管,则可以将较低的开关导通损耗从250mW到由于同步NMOS晶体管的低R DSon而导致的约34mW。虽然开关元件地影响了SMPS效率,但工程师可以在多领域对抗功率损耗的侵入性影响。将审查SMPS IC的无源元件损耗和重要的效率功能。

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