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开关电源两者都是两种功率损耗的受害者

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开关电源两者都是两种功率损耗的受害者

发布日期:2019-09-03 作者: 点击:

由于这种关系,转换比为:V OUT = D x V IN,I IN = D x I OUT。在特定区间内保留的时间越长,相对损耗与该区间重合的越大。对于转换器,低D表示环路2周围的相对损耗比较大,因为该环路支配开关周期。由于这些半导体器件的性质而倾向于引率的比较大减少。开关电源两者都是两种功率损耗的受害者:传导损耗和开关损耗。两者比较容易理解的是传导损失。

直观地说,在有电流流动的情况下,自然会出现对电流的反对,因此能量就会消耗殆尽。MOSFET和二管都充当开关,当每个器件在每个开关间隔期间导通时,该开关将电流引导通过电路。因此,由于MOSFET的导通电阻(R DSon)和二管的正向电压,当特定器件导通时将产生传导损耗。通过观察这些方程,很显眼,在每个开关间隔期间任一器件开启的时间越长,器件的相对传导损耗就越大。对于转换器,输出电压设置得越低(对于恒定的输入电压),二极管对功率损耗的贡献越大,因为它导通比较多的开关间隔。

二极管开关损耗可能稍微不那么直观,这是由于其开关特性的非理想性而产生的。设备从关闭转换为关闭需要时间,反之亦然,并且随着设备改变状态转换为功耗。通常给出漏 - 源电压(V DS)和漏 - 源极电流(I DS)的简化来解释MOSFET中遇到的开关损耗。

开关电源电路维修

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