开关电源功率模块减少了什么

然而，已经开始提供业界的模块，将SiC MOSFET与SiC 集成在一起，限度地减少IGBT尾电流和FRD恢复损耗引起的开关损耗，临界击穿强度约为硅的10。此外，作为电阻主要原因的漂移层是厚度的之一。这样可以大大减少电阻，从而减少功率损耗。这种SiC特性可显着功率器件的导电率损耗和开关损耗，由于高介电击穿，了功率损耗并且容易实现高电压，因此可以使用不能与Si一起使用的肖特基势垒二极管（SBD）。SBD可以实现高速切换运动，因为它们没有累积载波。结果，可以实现高速切换。以执行电力转换功能。它是为一个集成的构件块实现一个的电力转换器与所需的外部元件的数量减少。诸如栅驱动器，感测和保护功能的控制电子器件可以包括在功率模块封装内。在这种情况下，通常使用术语功率模块。从电学角度来看，开关电源功率模块减少了互连中的寄生元件功率半导体器件由于紧密的物理集成。从热学角度来看，功率模块通常具有导热基板，该基板可以用螺栓固定到散热器或冷板上，以由于功率转换器操作而产生的损失热量。